분류 전체보기18 DRAM 타이밍 파라미터 - 3 (Read and Write Cycle) DRAM의 경우 유휴 상태일 때의 refresh 명령을 제외하면, 대부분 경우 동작 상태는 읽기와 쓰기를 반복하게 됩니다. 이번 포스팅에서는 이런 대부분의 읽기 사이클과 쓰기 사이클에서 발생하는 명령들을 살펴보고, 관련된 타이밍 파라미터들에 대하여 정리해 보겠습니다. 읽기 사이클: 대개의 DRAM 디바이스에서는 행 주소 접근 명령을 수행할 때 각각의 정해진 bank sense amplifier에 위치하는 array로 수천 개에 달하는 데이터를 전송하게 됩니다. 이렇게 전송된 데이터 중에서 필요한 타깃 데이터는, 읽기 명령을 통해 전달되는 열 주소를 참조하여, 관련된 일부의 수백 비트에 해당하는 데이터만을 해당 데이터 버스를 사용하여 메모리 컨트롤러로 전송하게 됩니다. 메모리의 스트리밍 방식으로 해당 데이.. 2022. 6. 2. DRAM 타이밍 파라미터 (Timing Parameter) - (2) 이번 글에서는 DRAM 동작 파라미터 중에서 Precharge와 Refresh 명령에 대하여 살펴보겠습니다. 각 명령을 수행하는데 필요한 파라미터가 무엇이 있고, 어떻게 정의되며, 해당 파라미터들이 기존의 다른 파라미터와 어떠한 연관성을 갖게 되는지에 집중하여 정리해 보겠습니다. Precharge 명령: DRAM의 여러 동작 중 precharge 명령은 행 동작이 끝남을 알리게 됩니다. 즉, DRAM 셀 array에 읽기 또는 쓰기 동작을 수행 후에, 해당 행에 더 이상의 접근 명령이 없게 된다면, 또는 특정 조건을 만족하여서 강제로 해당 행의 동작을 마쳐야 할 때, 이 precharge 명령이 수행되는 것입니다. 보통 DRAM의 경우 데이터를 접근할 때 크게 두 가지의 과정으로 분류할 수 있습니다. 첫.. 2022. 6. 1. DRAM 타이밍 파라미터 (Timing Parameter) - (1) 기능적인 측면에서 보자면, DRAM은 단순하게 1과 0을 저장하고, 그 저장되어 있는 값을 읽기만 하는 메모리 장치일 뿐입니다. 그러나 이 단순한 과정을 고도로 집적화 되어 있는 환경에서, 고속으로 동작하게끔 하기 위해서 DRAM은 일정한 명령에 대한 포맷이 존재합니다. 이러한 포맷에는 다양한 명령 이름과, 각 명령이 유지되거나 동작하게 되는 고유의 시간 파라미터가 존재합니다. 이번 포스팅에서는 DRAM의 이러한 커맨드에 필요한 파라미터가 무엇인지 알아보도록 하겠습니다. 수많은 커맨드 중에서도, DRAM의 핵심 동작에 필요한 커맨드를 우선 살펴보고, 각각의 명령을 수행하는 데 있어서 필요한 특정한 DRAM 접근 프로토콜과 타이밍을 정리해 보도록 하겠습니다. 기본적이고 핵심적인 타이밍 파라미터만 하더라도 .. 2022. 5. 28. DRAM의 핵심 신호 (Pins) 이번 글에서는 DRAM의 동작을 설명할 때 항상 등장하게 되는 몇몇 신호들과 각 신호들의 역할에 대하여 정리해보도록 하겠습니다. 초기에 DRAM은 동기식(synchronous) 보다 비동기식(asynchronous) 방식으로 보통 설계되었습니다. 그러나 시간이 흐르며 기술이 발전됨에 따라 더 빠른 DRAM이 요구되면서 동기식으로 동작하기 위해 많은 신호들이 추가되었습니다. 우선 기본적인 신호들을 알아보고, DRAM의 신호들이 어떻게 발전되어 왔는지 살펴보겠습니다. 어떠한 메모리든 기본적으로 주소와(address) 데이터가 존재합니다. 데이터를 읽거나 쓸 때, 해당 셀의 위치를 알려주기 위해 사용되는 신호가 어드레스 신호입니다. 보통 어드레스 신호선의 개수는 DRAM의 용량과 직접적인 관계가 있습니다. D.. 2022. 5. 27. 이전 1 2 3 4 5 다음