DRAM Refresh2 DRAM 타이밍 파라미터 (Timing Parameter) - (2) 이번 글에서는 DRAM 동작 파라미터 중에서 Precharge와 Refresh 명령에 대하여 살펴보겠습니다. 각 명령을 수행하는데 필요한 파라미터가 무엇이 있고, 어떻게 정의되며, 해당 파라미터들이 기존의 다른 파라미터와 어떠한 연관성을 갖게 되는지에 집중하여 정리해 보겠습니다. Precharge 명령: DRAM의 여러 동작 중 precharge 명령은 행 동작이 끝남을 알리게 됩니다. 즉, DRAM 셀 array에 읽기 또는 쓰기 동작을 수행 후에, 해당 행에 더 이상의 접근 명령이 없게 된다면, 또는 특정 조건을 만족하여서 강제로 해당 행의 동작을 마쳐야 할 때, 이 precharge 명령이 수행되는 것입니다. 보통 DRAM의 경우 데이터를 접근할 때 크게 두 가지의 과정으로 분류할 수 있습니다. 첫.. 2022. 6. 1. DRAM의 Refresh 동작이란? 이번 포스팅에서는 DRAM의 refresh 동작에 관하여 살펴보겠습니다. 일전에 읽기 및 쓰기 동작에서 살펴보았듯이, DRAM의 cell은 고립되어 있는 capacitor에 전하가 데이터의 형태로 저장되어 있습니다. 그러나 capacitor의 자연적인 특성상, 시간이 흐름에 따라 누설 전류가 발생하게 되고, 그에 따라 capacitor의 전압 값이 서서히 감소하게 됩니다. 따라서 데이터가 완전히 소멸되거나 해당 데이터의 값을 유지하지 못하는 전압 레벨이 되기 전에, 저장되어 있는 셀의 값을 확인하고, 이를 다시 원래의 값으로 써넣는 과정이 필요합니다. 즉, 셀이 원래 VDD 전압을 유지하고 있었다면, 해당 전압으로 write 하게 되고, 원래 0 V 또는 VDD의 절반 값에 해당하는 전압이었다면, 해당 .. 2022. 5. 25. 이전 1 다음